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国产替代突破,长晶科技重塑功率半导体市场格局

发布日期:2025-04-13 12:04    点击次数:57
江苏长晶科技股份有限公司,作为中国半导体功率器件领域的佼佼者,自成立以来便凭借其卓越的自主创新能力和技术实力,在行业中迅速崭露头角,引领着功率半导体行业的发展潮流。 在技术创新的驱动下,长晶科技取得了丰硕的成果。公司拥有SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结MOSFET、IGBT单管及模块、第三代半导体等关键技术,并开发出多款具有自主知识产权的新产品。这些产品不仅性能卓越,而且适用性强,广泛应用于消费电子、工业电子、汽车电子及新能源发电等领域,充分满足了客户的多样化需求。特别是在新能...

江苏长晶科技股份有限公司,作为中国半导体功率器件领域的佼佼者,自成立以来便凭借其卓越的自主创新能力和技术实力,在行业中迅速崭露头角,引领着功率半导体行业的发展潮流。

在技术创新的驱动下,长晶科技取得了丰硕的成果。公司拥有SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结MOSFET、IGBT单管及模块、第三代半导体等关键技术,并开发出多款具有自主知识产权的新产品。这些产品不仅性能卓越,而且适用性强,广泛应用于消费电子、工业电子、汽车电子及新能源发电等领域,充分满足了客户的多样化需求。特别是在新能源汽车、工业控制、新能源发电等关键领域,长晶科技凭借其深厚的技术积累和丰富的行业经验,为客户提供了全方位的技术解决方案。

在全球半导体产业风起云涌的背景下,长晶科技瞄准前沿科技,推动产业创新。历经四年时间的潜心研发,长晶科技成功推出了大功率IGBT单管及模块产品。这款产品采用国际先进制程,具备高功率密度、低损耗、低开关应力、高可靠性等特点,成功实现了进口产品的规模化替代。这一突破不仅彰显了长晶科技在IGBT技术领域的领先地位,更为中国半导体功率器件产业的发展注入了新的活力。长晶科技也因此成为国内首家打破垄断、完成国产替代的高科技企业,为中国半导体产业的崛起贡献了自己的力量。

除了IGBT技术外,长晶科技还在CSP(芯片级封装)MOSFET功率器件上取得了重大突破。公司不断优化MOSFET芯片的结构和工艺,提高了器件的开关速度和导通电阻性能,为新能源汽车行业的发展注入了新的动力。长晶科技的CSP MOSFET产品不仅在国内市场占据领先地位,还远销海外,赢得了国际客户的广泛赞誉。这一成就不仅体现了长晶科技在技术创新方面的雄厚实力,也展示了其在国际市场上的强大竞争力。

除了技术上保持持续领先,在品牌建设上长晶科技荣获了多项荣誉称号,如中国半导体行业功率器件十强企业、国家专精特新“小巨人”、江苏省工程技术研发中心、南京市“百强高新技术企业”、南京制造业企业100强等,这些荣誉的获得不仅是对长晶科技技术创新和产品质量的肯定,更是对公司品牌影响力和市场地位的认可。

同时,长晶科技还积极拓展国内外市场,与全球众多知名企业建立了长期稳定的合作关系。总的来说,长晶科技特色和优势就是自己研发、自己封装,逐步打造从单管到模块的全规格覆盖,当前在家电、变频伺服、光伏储能、直流充电桩、汽车OBC等行业客户端已实现规模化量产。



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